日本内存厂商尔必达宣布，全球首款运行在1.2V超低电压的DDR2-533 512Mb移动内存芯片已经研发成功。

一般的DDR2移动内存芯片都工作在1.8V电压，而尔必达利用70nm工艺将其降低了三分之一，并维持了533MHz的频率，还符合JEDEC LPDDR2官方规范，并支持PASR、ATCSR、DPD等技术。

尔必达表示，这种低压内存在2.5G、3G手机中有着广泛应用，而消费电子产业的飞速发展更对高密度、低功耗存储提出了更高的要求。

尔必达将在今年11月份开始试产这种新研发的超低压DDR2移动内存芯片。

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