为配合新一代操作系统Vista新增的ReadyBoost及ReadyDrive技术，Intel于4月中发布的新一代迅驰平台Santa Rosa中，加入了全新的Turbo Memory技术，能配合ReadyBoost技术提高操作系统及应用程序的启动效率，而AMD亦不敢怠慢，将会于新一代SB700南桥中，加入全新HyperFlash技术应战，此技术将会采用Samsung的OneNAND Flash模块，体积减小并有效降低成本。

据微软指出，新一代Windows Vista操作系统的ReadyBoost及ReadyDrive功能，能缩短操作系统及应用程序的启动时间，为硬盘提供更大的缓存容量，提升读写时间，并减少硬盘启动及转动次数，降低硬盘的耗电，进一步提升电池续航力，而Intel Turbo Memory技术支持以上两项功能，令运作Vista时能效表现更好。

为对抗Intel Turbo Memory技术，AMD计划于SB700南桥中加入全新的HyperFlash技术，它将会把闪存控制器线路与IDE总线整合，支持三星OneNAND芯片，最高支持4颗，芯片频率为80MHz，16Bit接口最高传输速度为108MB/s，并声称相比Intel Turbo Memory快30%。

目前，HyperFlash所采用的模块是由Molex设计，PC厂商可自行生产HyperFlash卡，可支持512MB、1GB及2GB容量，相比Intel Turbo Memory必须由Intel自行生产，HyperFlash的吸引力自然较高，如果HyperFlash营销策略成功，将有望迫使Intel把Turbo Memory生产下放给PC厂商。

根据AMD芯片组最新规划，SB700南桥正处于A12样本阶段，预计DVT样品将会在11月初试产，12月正式量产，不过量产后初期HyperFlash功能只会在Beta驱动程序中提升，支持HyperFlash的正式版本驱动程序预计要在明年2月才会上阵。

图左下为HyperFlash模块设计，图右上为HyperFlash模块卡工程样本。