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直冲900MHz——金邦千禧DDR2 800内存测试
2007-06-22 13:43:17  出处:快科技 作者:大伟 编辑:大伟     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

[金邦千禧DDR2 889 CL=4-4-4-12测试]

随着889MHz频率的稳定,我们又准备将内存延时降低以便获得更好的性能,但是在内存延时下调到4-4-4-12之后,出现了进入系统蓝屏以及偶尔无法点亮的情况,看来要拿出电压这个法宝了。当然我们对与增加电压来提升“金邦千禧DDR2 800”内存并没有抱很大的希望,因为对于该类面向中低端的内存颗粒而言,其对电压并不敏感。但在我们将电压提升到2.0V之后,“金邦千禧DDR2 800”内存还是给我们带来了惊喜——稳定运行。

直冲900MHz——金邦千禧DDR2 800内存测试

金邦千禧DDR2 889 4-4-4-12 2.0V
Super Pi 1.5(4M
111.678
Sisoft Sandra 2007 SP1
 
Int Buff ’d iSSE2
5707 MB/s
Float Buff ’d iSSE2
5706 MB/s
EVEREST Home Edition 2006
 
内存读取测试
7254 MB/s
内存写入测试
4869 MB/s
内存拷贝测试
5505 MB/s
内存延迟测试
60.3 ns
DOOM3(1024*768)
151.8 fps

在2.0V的内存电压下,我们将实际频率为889MHz的“金邦千禧DDR2 800”内存时序从默认的5-6-6-15成功下调到了4-4-4-12,此时内存完全可以稳定运行。在性能表现方面,虽然频率没有发生变化,但是低内存时序所带来的性能提升确实巨大的,几乎所有的测试成绩相比在频率为889MHz的5-6-6-15时序下都获得了极大的提升,这个幅度远比在同时序下仅仅将内存频率提高到889MHz时所带来的性能提升要大的多。

我们可以说此时的“金邦千禧DDR2 800”内存终于在频率和延时上找到了一个绝佳的平衡点。

当我们继续冲击更高的频率以及时序则以失败告终,而我们最终的内存频率则上到了908MHz。此时就算我们将内存电压提升到本次测试限定的安全点2.1V之后,对内存的频率提升也没有起到多大的作用。但就其在889MHz下能够达到4-4-4-12的内存时序,并且此时电压为比较安全的2.0V下取得的。

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