在近日举行的2007超大规模集成电路技术座谈会上，富士通及其子公司展示了其在45nm大规模集成逻辑芯片制造平台上的进展状况。

富士通公司表示，和目前已经宣布的45nm制造技术相比，他们的新平台能够将漏电流降低至目前的五分之一，同时使互联时的延迟降低14%以提高性能。

富士通公司的研究人员发现，较浅的源极和漏极区域可以有效降低漏电流，但同时也会提高源极和漏极间的阻抗，降低晶体管性能。为了克服这一困难，研究者开发出了一种新的 退火技术技术，名为MSA（millisecond annealing毫秒退火）。和传统方法相比，该技术使用更高的温度来降低阻抗，但在更短的时间内退火可以使源极/漏极区域较浅，降低漏电流。同时，研究人员还是用了其自行开发的nano-clustering silica（NCS）材料制造绝缘膜，介电常数仅有2.25。

富士通表示，将于2008年将这些技术投入生产，产品将主要面向移动设备芯片。