“硅技术领先地位和全新扩展范例”（Silicon Technology Leadership and the New Scaling Paradigm） ——
英特尔技术与制造事业部资深院士马博（Mark Bohr） 主题演讲

在硅技术方面，英特尔继续引领着产业发展。英特尔曾第一个推出90纳米应变硅技术，现在又率先开发出45纳米高-k金属栅极晶体管。英特尔资深院士马博介绍了英特尔取得的这些技术成就。英特尔拥有硅研究和技术渠道，而根据摩尔定律，可以每两年推出一项新制程技术。

英特尔技术与制造事业部资深院士马博（Mark Bohr）

英特尔技术与制造事业部资深院士马博（Mark Bohr）针对超移动的45纳米技术——马博表示，英特尔目前已有下一代45纳米处理器（研发代码：Silverthorne）的工作版本，它基于英特尔具有革命意义的高-k金属栅极晶体管技术和用于UMPC和MID的低功率微体系架构。

英特尔将Silverthorne融入已有工作版本的45纳米高-k英特尔®酷睿™2双核、酷睿™2四核以及英特尔®至强®系列处理器（研发代码：Penryn）中，它们分别为移动、台式机、工作站和服务器而优化。英特尔资深院士马博（Mark Bohr）在其技术解析中说，英特尔已经生产出了面向MID 和UMPC 的Silverthorne处理器工作版本，该处理器基于45纳米高-k低功率微体系架构。现在，包括了45纳米高-k英特尔®酷睿™2双核、酷睿™2四核以及英特尔®至强®处理器系列产品的工作版本中又增加了Silverthorne。目前英特尔拥有超过15项处于不同开发阶段的多个45纳米高-k产品设计，并且年底之前将有两个45纳米制造工厂投产，而到2008年下半年投产的45纳米制造工厂将达到4家。

高能效的英特尔45纳米高-k金属栅极晶体管技术——英特尔45纳米技术采用其具有革命意义的高-k金属栅极晶体管，标志着高能效硅技术创新的重大突破。

马博重申，英特尔45纳米技术将随着今年下半年两家工厂建成运行而将正式投产，2008年下半年还将有两家工厂投产。

马博说介绍了英特尔目前仍在研发的一些技术选项，以实现摩尔定律所预言的价值。

其中包括三栅极晶体管、锑化铟量子阱晶体管以及碳纳米管连接件。

今天Intel在制程上面仍然领先，并且英特尔已开始了32纳米、22纳米以及更先进的技术研究。