继去年5月初首次披露后，台积电已经在半导体业界内率先拿出了45nm生产工艺，并计划最早在今年9月份投产，为代工客户提供新服务。

台积电的45nm工艺融合了193nm沉浸平版印刷术、应变硅、Ultra Low-K电介质材料等新技术，此外还有低功耗三栅极氧化层(TGO)，可以提供1.8V、2.5V、3.3V等多种输入输出电压选择，以适应不同用途的设备。

相比上一代65nm，新的45nm可以提供超过两倍的密度、30％以上的速度提升、更低的功耗以及制造成本。凭借45nm工艺，台积电在70平方毫米大小的高密度6T SRAM单元内集成了超过5亿个晶体管。

台积电已经向客户提供了具备实用功能的多用途45nm工艺晶圆，并称之为“CyberShuttle”。