2021年11月11日 – 继4月发布首款 PCIe 4.0 PBlaze6 6920 旗舰系列 SSD 以来，今天，Memblaze（北京忆恒创源科技股份有限公司）正式宣布推出面向主流市场的 PBlaze6 6530 系列 PCIe 4.0 企业级 SSD。该系列产品是基于 Memblaze 自主研发的统一架构平台（MUFP）开发的第二代产品，支持 NVMe 1.4 协议标准，采用最新的176层企业级 3D eTLC NAND 颗粒，相比上一代产品写入寿命更长，同时性能大幅提升，随机访问高达 1100K IOPS，且具有更低的功耗以及更加丰富的企业级功能和安全特性，满足互联网、云计算、金融、通信等行业用户对新一代闪存存储的严苛要求。

Memblaze PBlaze6 6530 系列 PCIe4.0 NVMe SSD

性能更强，为业务应用大幅加速

PBlaze6 6530 系列企业级 SSD 支持 PCIe 4.0 x4 接口，拥有更高的读写带宽，内置 MemSpeed 4.0 技术，能够提供高达 1180K IOPS 的 4K 随机读取性能，4K 随机写性能突破 425K IOPS，顺序读写带宽分别高达 6.8GB/s 和 4.8GB/s，可为企业用户带来更好的数据存取表现，助力业务应用大幅提速。

更低延时，保障出色用户体验和一致性

PBlaze6 6530 系列企业级 SSD 对 IO 处理逻辑进行了深度优化，通过写处理路径调整缩短命令响应与返回时间，增加预处理操作，让整体写延时进一步降低至 10μs；硬件和接口性能提升，让读延时得到了显著改善，低至 72μs。此外，PBlaze6 6530 内置调度机制的优化，也使其 QoS 和性能一致性得以保证，让延时敏感型应用运行更加流畅。

功耗更低，灵活配置满足不同业务所需

PBlaze6 6530 系列企业级 SSD 采用高能效比硬件选型，优化数据路径和各项算法，使得每消耗1瓦特能耗所提供的性能得以大幅提升。与上一代产品相比，其能效比增加了172%，性能更强的同时功耗更低。PBlaze6 6530 的写入功耗典型值仅为 11W，并支持以每 1W 为粒度，6W 到 14W 功耗动态调整功能，以满足用户对性能和功耗的不同配置需求。

超长写入寿命，确保业务长期稳定运行

PBlaze6 6530 系列企业级 SSD 采用企业级 eTLC NAND 中最高规格等级颗粒，搭配全新升级的 MemSpeed4.0 技术集，优化写入路径和算法，实现超长写入寿命。PBlaze6 6530 提供 1.92TB、3.84TB 和 7.68TB 三个容量点，按照 JESD219 标准写入寿命最高可达 1.5 DWPD（5年），写入寿命比前代提升50%，适合主流企业级工作负载；PBlaze6 6536 提供 1.6TB、3.2TB 和 6.4TB 容量点，寿命最高可达 3.3 DWPD（5年），适合具有更高写入寿命要求的业务。两款型号全容量点均提供2.5英寸 U.2 和 HHHL（半高半长）AIC 规格。

丰富的企业级功能和数据安全可靠性表现

PBlaze6 6530 系列企业级 SSD 支持 NVMe 1.4 规范，提供了更加丰富的企业级功能，如 Persistent Event Log 持久化日志、NVMe-MI 带外管理、日志收集统一接口 Telemetry、安全擦除 Sanitize、TCG Opal 2.0 等，以进一步提升固态硬盘的可靠性、可管理性与数据安全性。同时，全路径数据保护、NVMe 端到端数据保护、可变 Sector Size 管理、加权轮询 WRR、AES 数据加密、设备自检、在线固件升级等企业用户关注的功能也均有提供。

“祝贺 Memblaze 发布了第二款 PCIe 4.0 SSD。这次推出的产品在保持一贯的性能和稳定性基础上，又深入打磨了丰富的企业级功能，TCG 和端到端数据保护功能的加强，让我们看到了国内 SSD 厂商对于用户数据安全的思考更进了一步。H3C 公司会继续与 Memblaze 一起，持续为用户提供安全、快速、易用的应用和服务。”—— 新华三集团存储产品部总经理徐润安表示。

“祝贺Memblaze发布了最新176层NAND颗粒的企业级 PCIe 4.0 SSD。腾讯云将会继续与Memblaze一起，为用户提供安全、灵活、快速、易用的业务和服务。”—— 腾讯云NPI负责人陈烽英表示。

目前，PBlaze6 6530 系列 NVMe 企业级 SSD 即日起接受预定，您可与所在地的销售代表联系。

产品系列

Memblaze PBlaze6 6530系列

容量

1.6TB/1.92TB, 3.2TB/3.84TB, 6.4TB/7.68TB

外形

U.2 / HHHL AIC

接口 / 标准

PCIe 4.0 x 4 / NVMe 1.4

NAND

176层，eTLC

性能

顺序读/写带宽（128KB）- 最高达6.8GB/s / 4.9GB/s随机读/写（4KB）- 最高达1,100,000 IOPS / 425,000 IOPS

寿命

最高达1.5 / 3.3 DWPD （5年随机写入）

读取 / 写入延时

72 / 10 μs

功耗

峰值 <14 W ，典型值 11W

基本特性

增强的掉电数据保护、热插拔、全路径数据保护、S.M.A.R.T、灵活功耗管理

高级功能

TRIM、命名空间管理、AES256 自加密、密钥删除、EUI64/NGUID可变 Sector Size 管理 & NVMe 端到端数据保护、在线固件升级、时间戳、加权轮询、标准接口日志收集 Telemetry、安全擦除 Sanitize、持久化事件日志、TCG OPAL2.0