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慧荣科技出席CFMS2021 旗舰级PCIe 4.0主控测试数据首次曝光
2021-09-17 14:17:43  作者:cici 编辑:cici     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

中国闪存市场峰会(CFMS)受疫情影响时隔两年之后于9月14日在深圳举办,峰会聚集了来自全球众多存储顶尖企业以及业界精英,三星、长江存储、Intel等NAND原厂,慧荣科技等主控芯片厂商均悉数到场,发表行业见解以及未来洞察的同时,也将各自代表产品逐一展示,让参会观众大饱眼福。

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在慧荣科技展台上,展出了多款消费级PCIe Gen4 、企业级PCIe Gen4、 UFS 3.1以及近期发布的USB 3.2 Gen2主控芯片。

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在慧荣科技的诸多展品中,最引人瞩目的无疑是展台主要位置的一台PC,而这台PC里面正在对搭载了慧荣科技PCIe Gen4旗舰级主控芯片SM2264的SSD进行测试。值得注意的是,早在2019年的CFMS上,慧荣科技就已推出该款主控芯片,但当时仅是作为展示,并没有实际测试数据公布。所以,CFMS2021可以称得上是慧荣科技SM2264主控芯片实力的首次正式亮相。

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在一旁的显示器上可以看到,该款SSD的连续读取写入速度达到了7,461/7,007 MB/s,这个数据在目前众多PCIe Gen4 SSD中已然达到了第一梯队的水平。

作为慧荣科技在PCIe Gen4技术上的旗舰主控芯片,SM2264主要应用于高性能和车用级SSD,采用12nm制程工艺,搭载四核心ARM Cortex-R8 CPU,内含四个16Gb/s PCIe数据总线,并支持八个NAND通道,每个通道最高可达1,600 MT/s。标称连续读写性能最高可达7,400 / 7,000 MB/s,随机读写速度最高达1,100K IOPS。实际测试中也是完美达到了标称速度。

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SM2264 搭载慧荣科技最新NANDXtend技术,结合慧荣科技专利的最新高性能4KB LDPC纠错码(ECC)引擎和RAID功能,为最新一代的3D TLC和QLC NAND提供极佳的纠错能力。内建SR-IOV功能的SM2264也是车用级存储设备的理想选择,最多可同时为八台虚拟机(VM)提供直连的高速PCIe接口。

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企业级存储也是慧荣科技近年主攻方向,其SM2270企业级主控芯片已进入企业级市场多时,被广泛应用于阿里云、百度云等服务器中。本次展会上展出的为PCIe Gen4 x4的SM8266主控芯片,在性能及规格上相比SM2270再次加强。可提供一致性、低延迟的QoS性能。具备16个NAND闪存通道,并支持最新款3D TLC和QLC NAND闪存技术,容量最高可达16TB。

凭借PCIe Gen4的高吞吐量带宽,SM8266主控芯片的顺序读取写入速度最高可达6,500/3,500 MB/s,随机读取写入速度最高可达900K/200K IOPS,完美符合高数据吞吐需求的数据中心和企业级存储。

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除了两款旗舰级主控芯片外,慧荣科技还展出了SM2267、SM2267XT、SM2269XT等PCIe Gen4主控芯片;SM2261XT PCIe Gen3 x2主控芯片;SM2320 USB Gen2 x2主控芯片;SM2754 UFS 3.1主控芯片。可以说是从消费级、企业级再到主流级甚至随身存储设备和智能终端设备均有产品及解决方案覆盖,全方位展示了作为全球最大闪存主控芯片厂商的实力。

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