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存储电路密度创纪录 超越Intel十几年
2007-01-26 14:35:00  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

来自加利福尼亚的科学家们制造出了密度最高的计算机存储电路,相当于在一个白血球大小的单元内保存大约2000个单词。

加利福尼亚理工学院(Caltech)和加利福尼亚大学洛杉矶分校(UCLA)研制的这种存储单元的大小只有10微米左右,相当于一个人类白血球,但却能存储160Kb信息,换算成存储密度就是每平方厘米100Gb。

Caltech在一份声明中称,该单元可以存储一份美国《独立宣言》大小的文件,而且还有剩余空间。

领导这一研究项目的Caltech化学教授James Health声称,按照摩尔定律,Intel要到2020年才能造出他们这种设备,而他们已经坚定了在分子尺寸范围内制造实用性的电子电路,只是要投入实用还很遥远,即使到了2013年,也不一定能找到合适的路子。

Heath说:“能不能把这种新的存储电路用在笔记本上,我不知道,但我们有的是时间。”

Caltech和UCLA的研究论文将发表在下一期《自然》科学杂志上。


存储电路密度创纪录 超越Intel十几年

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