瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次
2021-04-21 20:52:04  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

近日,瑞芯微发布了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是RK835、RK837。

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

RK835通过了PD2.0、PD3.0、PPS认证,编号TID 4325,支持QC 2.0、QC 3.0、QC 4.0、QC 4.0+、VOOC快充协议,能够快速便捷与各类电源芯片对接,支持18W-100W输出。

内部集成ARM Cortex-M0内核、60KB Flash、1KB RAM,从而实现对PD和其他专有快充协议的支持,可以承受10万次以上的重复烧录。

它可用于电源角色的USB Type-C和PD物理层,并支持E-Marker线缆供电,超低功耗模式下耗电量低于10μA。

核心特性:

- 内部集成ADC,可连续检测电压、电流、温度,以及通过GPIO引脚反馈的系统参数

- 所有的GPIO均可配置成边缘触发中断,DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式

- 支持I2C接口和主从模式,集成输出放电功能

- DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置过流、过压、过热保护

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次
RK835+AC-DC典型应用电路

RK837除了通过PD2.0/PD3.0/PPS认证(TID 5141),还通过了高通QC4+认证,证书编号20210303222。

内部集成Flash、RAM分别增加到64KB、2KB,同样支持10万次以上的重复烧录。

核心特性:

- 支持USB Type-C和Type-A双接口,支持I2C接口

- 集成NMOS驱动,VBUS开关管可使用低成本性能好的NMOS,内部集成快速放电电路

- 内部集成高精度ADC,可实现3-22V以10mV精度输出,使用5mΩ取样电阻,可实现0.1-12A以12mA精度恒流

- DP/DM/CC1/CC2引脚均支持26V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置过流、过压、过热保护

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次
RK837应用电路

 

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#瑞芯微#快充

责任编辑:上方文Q

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