最新款PCIe 4.0主控芯片解决方案展现绝佳性能和超低功耗，连续读写速度高达每秒7,400/6,800MB。

【2020/10/21，台北及美国加州讯】全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌——慧荣科技(NasdaqGS：SIMO)(“Silicon Motion”)，今日宣布推出一系列最新款超高性能、低功耗的PCIe 4.0 NVMe 1.4主控芯片解决方案以满足全方位巿场需求，包括专为高端旗舰型Client SSD设计的SM2264、为主流SSD市场开发的SM2267，以及适用于入门级新型小尺寸应用的SM2267XT DRAM-Less主控芯片。

慧荣科技最新款SSD主控芯片解决方案符合PCIe 4.0 NVMe 1.4规范，完美展现Gen4的超高性能和低功耗特性，结合慧荣独家的错误码纠错(ECC)技术、数据路径和EMI保护，提供完整、稳定的数据保护，满足存储设备所需的高效稳定需求。全球已有10家重量级客户，包括NAND大厂和SSD OEM采用慧荣科技的Gen 4主控芯片搭载3D TLC或QLC NAND推出新品。

市调公司TrendFocus副总裁Don Jeanette表示：“众所皆知慧荣科技长期以来一直是SSD主控芯片技术的领导者。在Gen 4规格日渐受到市场重视的同时，该公司于此时推出新品正好抓住最好的时机，而未来几年Gen 4势必成为PC、游戏机及其他消费级设备的标准规格。”

慧荣科技总经理苟嘉章表示：“PCIe Gen4将SSD的性能往上推升到另一个层次。我们最新款的PCIe 4.0 SSD主控芯片为消费级SSD应用提供一套完整的解决方案，能满足全球PC OEM和SSD模块领导厂商的长远需求。目前，多家OEM大厂客户已开始导入我们最新款的Gen 4 SSD主控芯片在他们的新品开发中，其中已搭载SM2267主控芯片的SSD已进入量产阶段。”

针对高性能和车用等级的PCIe Gen 4解决方案：SM2264支持Gen4 x 4通道、8个NAND通道设计

SM2264主要瞄准高性能和车用级SSD应用，搭载四核心ARM® Cortex®R8 CPU，内含四个16Gb/s PCIe数据总线，并支持八个NAND通道，每个通道最高可达每秒1,600 MT。SM2264的先进架构采用12nm制程，能够大幅提升数据传输速率、降低功耗并提供更严密的数据保护，连续读写性能最高可达7,400MBs/6,800 MBs，随机读写速度最高达1,000K IOPS，提供使用者前所未有的超高性能体验。ARM® Cortex®-R8架构提供高速多线程处理能力，可满足新一代存储应用所需的混合工作负载作业需求。SM2264搭载慧荣科技最新第7代NANDXtend®技术，结合慧荣科技专利的最新高性能4KB LDPC纠错码(ECC)引擎和RAID功能，为最新一代的3D TLC和QLC NAND提供极佳的错误纠错能力。内建SR-IOV功能的SM2264也是车用级存储装置的理想选择，最多可同时为八台虚拟机(VM)提供直接的高速PCIe接口。SM2264目前进入客户送样阶段。

针对主流和入门级PCIe Gen 4的解决方案：SM2267支持Gen4×4通道、4个NAND通道设计;SM2267XT支持Gen4×4通道、4个NAND通道、DRAM-less

慧荣科技的SM2267和SM2267XT满足主流消费级和高性价比SSD应用需求，具备四个 16Gb/s通道的PCIe和四个NAND通道，每个通道的最高速度为1,200MT/s，而连续读写性能更可高达每秒3,900/3,500MB。SM2267包含DRAM接口，而SM2267XT DRAM-less主控芯片可在不影响性能的前提下，满足小尺寸的产品设计需求。两者均搭载NANDXtend® ECC技术，并支持最新一代3D TLC和QLC NAND，提供高性能、高可靠性，最符合经济效益的PCIe NVMe SSD解决方案。SM2267和SM2267XT已进入量产阶段。

关于慧荣

慧荣科技(Silicon Motion Technology Corp.，NasdaqGS：SIMO)是全球最大的NAND闪存主控芯片供货商，同时也是SSD主控芯片的市场领导者。我们拥有最多的主控芯片解决方案及相关技术专利，主要使用于智能手机、个人计算机、消费性和工业级应用的SSD及eMMC+UFS等嵌入式存储装置。在过去十年累绩出货量超过60亿颗，居业界之冠。我们同时提供大型数据中心企业级SSD与工业级SSD解决方案。客户包括多数的NAND闪存大厂、存储装置模块厂及OEM领导厂商。慧荣于2005年在美国NASDAQ上市。