• 快科技
  • 中文科技资讯专业发布平台
格芯最先进FinFET工艺12LP+大功告成:性能增加20%
2020-07-01 19:08:42  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

作为网友口中的AMD前女友,格芯(Globalfoundries,简称GF,中文名格芯)过去两年一直在积极削减投资,卖掉晶圆厂。

那么放弃7nm、关停成都工厂等操作所节省下来的资金用到哪了呢?现在答案来说,其最先进的FinFET制程工艺12LP+宣布大功告成,以准备投产。

按照格芯的说法,12LP+相较于12LP,性能增加了20%、规模面积减少了10%。这些指标的提升,主要得益于性能驱动的区块优化组件、独立鳍片单元、新的低压SRAM和改进的模拟布局设计法则等。

目前,12LP+已经在AI训练芯片领域通过了IP验证,可减少生产成本、创造更大价值。

另外,格芯也在丰富12nmLP+的IP组合包,目标包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e显存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。

据悉,12nmLP+将主要在美国纽约州Malta的Fab8工厂生产,下半年内会有不止一套方案流片。

格芯最先进FinFET工艺12LP+大功告成:性能增加20%

文章价值打分
当前文章打分0 分,共有0人打分
文章观点支持

+0
+0

快科技客户端

扫描安装快科技APP

驱动之家微信公众号

扫描关注驱动之家