取代FinFET:三星计划首发3nm GAA工艺芯片、性能约提高30%
2020-01-02 19:24:27  出处:新浪科技  作者:李明 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

北京时间1月2日晚间消息,据韩国媒体报道,三星电子事实上的领导人李在镕(Lee Jae-yong)今日讨论了三星利用全球首个3纳米工艺制造芯片的战略计划。

该报道称,李在镕今日参观了三星电子位于京畿道华城(Hwaseong)的半导体研发中心。这也是李在镕在2020年的首个官方行程,期间,他听取三星电子3纳米制程技术报告,并与半导体部门主管讨论了新一代半导体战略。

据三星电子称,李在镕讨论了三星计划采用正在研发中的最新3纳米全栅极(GAA)工艺技术来制造尖端芯片的计划。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版,能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。

去年4月,三星电子完成了基于极端紫外线技术(EUV)的5纳米FinFET工艺技术的研发。如今,该公司正在研究下一代纳米工艺技术(即3纳米GAA)。三星电子表示,与5纳米制造工艺相比,3纳米GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

对于李在镕此次参观半导体研发中心,三星发言人称:“李在镕今日访问半导体研发中心,再次凸显三星承诺成长为“非内存芯片”市场顶级制造商的决心。”当前,三星已是全球最大的内存芯片制造商。

去年,三星宣布了一项高达133万亿韩元(约合1118.5亿美元)的投资计划,目标是到2030年成为全球最大的“系统级芯片”( SoC)制造商。

取代FinFET:三星计划首发3nm GAA工艺芯片、性能约提高30%

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#三星#3nm

原文链接:新浪科技 责任编辑:万南

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