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Freescale半导体宣布MRAM商业量产
2006-07-11 00:01:00  出处:快科技 作者:P2MM 编辑:P2MM   点击可以复制本篇文章的标题和链接

Freescale半导体今天宣布MRAM投入商业应用。MRAM全称是magnetoresistive random-access memory (MRAM,抗磁电随机存取内存)。MRAM内存可以在断电情况下,继续保持数据,和闪存类似,但是MRAM内存的数据读写速度远远高于闪存,同时MRAM也不会像闪存那样出现时间退化问题。闪存在10万到1百万次读写之后就会出数据完整性丧失的问题。

MRAM设备可以以200MB/s的速度进行数据的读写。作为对比,三星新发布的2Gb 60nm OneNand芯片数据读取速度是108MB/s,数据写入速度是17MB/s。

MRAM可以作为通用内存使用在诸如PC、手机、音乐播放器、照相机乃至厨房设备、轿车和飞机的计算部件当中。这是近10年当中最重要的内存。,目前厂商都在研发MRAM,但是还没有厂商宣布大规模量产。

诸如东芝、NEC和IBM等公司都已经宣布持续研发MRAM或者在MRAM研发上有重大突破,但是还没有公司像Freescale那样宣布量产,Freescale是第一家宣布MRAM商业化量产的厂商。Freescale2个月之前已经开始在美国亚利桑那州的芯片工厂量产4Mb MRAM芯片,这个公司是从摩托罗拉当中分离出来的公司。


Freescale半导体宣布MRAM商业量产

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