日本GENUSION公司已经成功开发出一种新技术，可将NOR闪存的写入速度提高到100MB/s，与硬盘相当。

GENUSION是一家无工厂模式的半导体业设计公司，通过将“浮动栅”(闪存存储单元中存放电荷的部分)的长度缩短为50微米而得到了100MB/s的NOR闪存写入速度，相当于现有最高水平的100倍，足以媲美一般的硬盘。

GENUSION已经开发出了4MB容量的产品原型，预计2008年推出实际产品。

Intel此前公布计划说，将在今年第四季度开始在业界率先量产65nm工艺的NOR闪存，写入速度最高可达1MB/s。

NOR闪存是Intel和AMD制造的一种闪存，不过近几年NAND闪存更为流行，2002年占领了20％的市场。与NAND闪存相比，NOR闪存在读取速度上有不小的优势，但写入速度一直偏低。