在零下451华氏度(零下268摄氏度)的低温中，IBM和Georgia Tech成功将一颗硅锗芯片的速度提高到了500GHz，创下了新的世界纪录。

硅锗芯片与标准的硅芯片类似，不过加入的锗元素可有效提高芯片性能并降低功耗，但是，加入锗元素也会增加晶圆和芯片的生产成本，因此硅锗芯片只应用在某些特定的领域内，如导弹防御系统、太空探勘飞行器、远程遥感等。自1998年以来，IBM已经卖出了数百万硅锗芯片，但手机业每年可吸收数十亿标准硅芯片。

在室温条件下，IBM和Georgia Tech的硅锗芯片可运行在350GHz，即每秒钟可执行3500亿个循环操作，远非1.8-3.8GHz的标准PC处理器所能比拟；而在低温下，硅锗芯片可进一步获得更高的性能，因此IBM和Georgia Tech的科学家将芯片放置在仅比绝对零度(★)高8华氏度的超低温环境中，从而获得了500GHz的高速度。

这次试验是IBM和Georgia Tech探寻硅锗芯片终极速度项目的一部分。科学家们认为，硅锗芯片的理论终极速度有望达到1THz，即每秒钟可执行1万亿个循环操作。

★：绝对零度为零下459华氏度，或零下273.15摄氏度。