目前最主要的导电材料是铜，随着计算设备体积越来越小，当铜变得很薄，进入二维尺度时，电阻变大，导电性迅速变差，功耗大幅度增加，这也是制约芯片等集成电路技术进一步发展的重要瓶颈。

据报道，材料领域国际顶级期刊《自然·材料》，发表了复旦大学修发贤团队最新研究论文，《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》，制备出了新型金属材料“砷化铌纳米带”，是二维体系中具有目前已知最高导电率的外尔半金属。

据介绍，这种砷化铌纳米带材料的电导率是铜薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。更让人期待的是，区别于超导材料只能在零下几十度超低温下应用，新材料砷化铌的高电导机制即使在室温下仍然有效。

复旦大学物理学系教授修发贤团队利用了氯化铌、砷、氢气三种元素来制备这种砷化铌纳米带，这种材料有一个表面态，允许电子在上面快速地通行，可以让电子快速通过而降低能耗。

修发贤还称该技术有望解决手机电脑发热问题，他表示，我们的手机发热、电脑发热是有两个原因，晶体管本身的发热和电流流经这些（互连）导线所产生的导线发热，那我们现在要解决的问题就是导线的发热，我们的这个材料就可以在这一方面有所用途。