作为目前SSD和多数存储设备的技术基础，闪存颗粒的价格随着技术的进步必然是朝着更加低廉的方向前进的。

不久的过去，当TLC闪存面世之后，曾经引发过一场持续至今的争论。而就在我们还沉浸在MLC还是TLC的选择问题时，更加“丧心病狂”的QLC闪存已经来到了我们的面前。

我们刚刚拿到了一款来自三星的860QVO 容量为1TB，这是三星首款QLC闪存颗粒的SSD产品。那么它的表现究竟如何呢？

什么是QLC？

NAND闪存的基础单元被称作Cell，如果每个Cell只存储一个bit的数据也就是传统的SLC（Single-Level Cell ）颗粒，如果存储2bit数据则称为MLC（Multi-Level Cell）颗粒，以此类推，TLC（Trinary-Level Cell）则为3bit，而QLC每个Cell中的数据达到了4bit。

随着bit数量的增加，带来的好处是同样规模的颗粒可以存储更多的数据，从而实现SSD容量上的大规模提升。而这样带来的副作用是更繁琐的寻址带来的快速老化和同容量下更低的性能。

三星首款QLC SSD——860QVO

860QVO是三星首款QLC闪存的产品，考虑到QLC的特性，所以为了实现比较高的性能，三星选择了大容量策略，容量1TB起步，最高达到4TB。

目前上市的仅有2.5英寸SATA3接口的版本，M.2接口和MSATA接口的版本暂未上市。

拆开外壳我们可以看到这款容量高达1TB的SSD产品仅采用了一块大小仅相当于两张多一点标准SD卡大小的PCB。而更夸张的是使用单芯片封装实现了1TB的容量。

这颗64层堆叠的4bit MLC（QLC）NAND芯片的容量达到了1TB！官方质保的寿命为360TBW或三年，也就是360次全盘写入，是相同容量860EVO 600TBW的一半。

但如果算下来的话，每天的写入量需要达到328GB才可以在三年内消耗完，这样的寿命很显然还是非常够用的。

背部还预留了一个空焊的位置，估计2TB版本将共享同款PCB。

主控采用了三星的MJX主控，基于ARM架构，与860evo使用的为同系列产品。

860QVO采用了一颗1GB的DDR4缓存。除此之外，三星还准备了6GB的模拟SLC缓存和36GB-72GB的智能缓存来保证日常速度。

官方标称数据方面，1TB版的持续读取性能为550MB/s，持续写入性能为520MB/s。4K随机读写（QD32）性能达到96K和86K IOPS。

基准性能测试

可以看到，支持了S.M.A.R.T，NCQ以及TRIM功能，DevSleep也没有缺席。

首先是娱乐性质的ASSD Benchmark，可以看到持续写入和4K性能都和普通的SATA TLC产品没什么两样。

可以看到，4K性能约91K和86K IOPS，与标称值比较接近。

而在CrystalDiskMark 中，性能表现也相当一致，560 MB/s和528MB/s的跑分超过了官方数据。

TxBench的跑分同样是560MB/s和528MB/s。4K性能也达到了标称值。

ATTO的测试成绩同样是560MB和528MB/s，表现非常一致。

三星的Magician工具还提供了RAPID模式的选项，将一部分内存用作SSD缓存使用，从而实现大幅度的性能提升。

开启RAPID模式之后，持续读写和4K性能都有着非常夸张的性能提升。

大容量写入性能测试

以上就是我们日常对SSD的一些日常跑分，但这都是在SLC缓存和智能缓存的范围内进行的测试，成绩表现不错意味着可以保证日常使用的良好体验。

但如果超出了这部分缓存之后，QLC的性能是否能够满足需求呢？我们来进行一下相关的测试。

首先我们进行全盘写入，可以看到在80GB左右出现了大幅度的写入性能衰减，这意味着已经超出了模拟缓存的范围，在写满SLC缓存之后，三星860QVO的写入性能降低到了在75MB/s左右。

我们将一个含有154个文件共50.3GB的文件夹从高性能的NVME SSD拷贝到860QVO中，可以看到，在7GB左右出现了显著的写入性能下降，从500MB左右的速度降低到了75.8MB/s，QLC颗粒的性能被真实的展现了出来。

总结

  

通过我们的测试来看，如果是日常的小文件读写以及游戏、软件所需要的零碎文件读写工作，有智能缓存技术加持的860QVO可以满足需要。

且与普通的TLC SSD并不会有显著的区别。但不可否认的是，QLC颗粒本身的特质决定了在超出SLC缓存区之后的写入性能仅与机械硬盘相当，并不适合大型文件的连续写入。比较适合作为仓库盘存储冷数据。

860QVO还没有在中国大陆上市销售，目前欧洲已经上架，价格为115欧元，约合900元人民币，预计国行价格在千元左右，相比1300元左右的1TB版860EVO有着一定的优势。