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Intel发明全新MESO逻辑器件:能耗降低最多30倍
2018-12-05 15:53:12  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

随着半导体工艺的日益复杂化,如何延续摩尔定律一直是行业热门话题,不少人直言这个定律即将甚至已经终结,而作为半导体行业领军巨头,Intel一直在不断探索新的材料、技术和工艺,持续推进摩尔定律。

12月3日,权威的《自然》杂志发表了一篇有关下一代逻辑器件(Logic devices)的研究论文,作者包括Intel、加州大学伯克利分校、劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员。

这篇论文描述了一种由Intel发明的磁电自旋轨道(MESO)逻辑器件,相比目前最常用的互补金属氧化物半导体(CMOS),MESO器件结合了超低休眠状态功率,有望把电压降低5倍、能耗降低10-30倍,并考虑到了未来计算所需的关于存储器、互连线和逻辑的要求。

目前,Intel已经做出了该MESO器件的原型,采用的是在室温下呈现新兴量子行为的量子材料,以及由材料科学家Ramamoorthy Ramesh开发的磁电材料——他目前就任于加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室。

MESO还利用了由物理学家Albert Fert描述的自旋轨道超导效应(Spin-orbit transduction effects)——他就任于法国国家科学研究院/泰雷兹集团联合物理研究组。

Intel发明全新MESO逻辑器件:能耗降低最多30倍

在探求不断更新半导体工艺、微缩CMOS的同时,Intel一直在研究超越CMOS时代的未来十年即将出现的计算逻辑选项,推动计算能效提升,并跨越不同的计算架构促进性能增长。

Intel资深院士兼技术与制造事业部探索性集成电路组总监Ian Young表示:“我们正在研究超越CMOS时代的计算方案,寻求革命性而不是演进性的突破。MESO以低压互连和低压磁电为基础,将量子材料创新与计算结合在一起。我们对已经取得的进展感到非常兴奋,并期待着发挥其潜力,未来做出进一步降低翻转电压的演示。”

Intel功能电子集成与制造科技中心主任、资深科学家Sasikanth Manipatruni表示:“MESO器件基于室温量子材料开发。它展现了该技术的可能性,并有望在业界、学术界和各国家实验室中引发新一轮创新。而这种新型计算器件和架构所需的许多关键材料和技术,还需要进行更多开发。” 

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