继推出首套65nm工艺可制造性设计系统之后，台积电今天宣布其65nm低功耗生产工艺已经完全成熟，台积电也将全面进入65nm新时代。

台积电CEO兼总裁蔡力行表示，凭借先进的300mm晶圆，台积电的生产工厂可迅速满足来自各个市场的客户对新工艺的大批量需求。在此之前，台积电已经试验性地批量供应了一些65nm产品。

台积电指出，目前已有大约2000个客户正在准备采用65nm新工艺，其中很多都处于设计或采样阶段，而显示核心和基带IC仍将是新工艺最重要的用武之地。

台积电65nm NexsysSM技术是该公司第三代使用铜互连和low-k电介质的半导体生产工艺，共有9个金属层，核心电压1.0V或1.2V，I/O电压1.8V、2.5V或3.3V，门阵列密度是90nm NexsysSM技术的两倍。