美国M-Systems公司宣布实现了4-bit/cell的NAND闪存技术——x4(TM)。

目前的NAND快速闪存芯片采用对浮动栅的电量进行分级技术的存储单元MLC（多级单元），容量为2-bit/cell，而这次M-Systems公司宣布的x4技术则是目前容量的2倍，达每单元4位。

x4技术由一个4-bit/cell NAND闪存媒体和一个必要的x4技术控制器组成。虽然在制造工艺上并没有发生任何的改变，但相比现有的2-bit/cell MLC NAND晶圆加工技术可节约30％的生产成本。

M-Systems公司表示，采用x4技术的NAND闪存部件将在2007年量产。