一些媒体报道ATI正在和内存厂商合作定义GDDR-3，以取代DDR2，GDDR3将在明年上市，500MHz起跳。

EETime:

GDDR-3和DDR-2规格很类似，DDR-2将是当前DDR的后续产品，但是一些关键性能将专门设计，以满足图形控制器的高带宽需要。

ATI的战略市场部技术经理Michael Litt说:"基本上由于系统内存和图形内存的要求不同，所以你不能完全指望Jedec制定的200MHz DDR和DDR-2，GDDR-3可以在500-800MHz的速度下运行，速率每秒每针脚为1-1.6 Gigabits。

GDDR-3和DDR-2主要有两方面不同，GDDR-3读写采用单向截止的闸门，而DDR-2则使用差动双向闸门。

第二个变化是GDDR-3采用"伪开路耗尽型"界面技术，基于电压而不是电流，这样图形芯片可以同时兼容DDR, DDR-2和GDDR-3。和DDR-2一样，GDDR-3界面使用1.8V SSTL。

EB News:

"内存厂商Micron Technology Inc和ATI Technologies Inc告诉EBN GDDR-III内存将是第一个数据传输率在1Gbit/s-1.5Gbits/s的内存。这比DDR-II SDRAM快两倍。

首批GDDR-III芯片密度为256Mbits，时钟为500MHz，数据传输率为1Gbit/s。时钟可以达到750MHz，速率为1.5Gbit/s。

虽然GDDR-III由DDR-II规格演变而来，但它是完全不同的芯片，GDDR-III采用CSP封装，144球型BGA配置，而不是DDR-II的84球型BGA配置。"