专业内存研发制造商-创见资讯，推出以高容量1GB DDR266 Unbuffered DIMM及2GB DDR266 ECC Registered DIMM内存，可适用于支持DDR作业平台之高阶市场需求如AMD、Intel 845D系列作业平台等服务器及Intel E7500作业平台等工作站。除了拥有DDR266双倍速的数据传输速度及高效能的优点之外，其采用512M-bit 颗粒及多层PCB板设计，将会有更高兼容性及稳定性的表现，绝对是高阶作业平台使用者最佳的选择。

创见资讯内存事业处协理张利民表示：「由于上游DDR颗粒制造厂商制成产出已逐渐从128M bit颗粒转换成较高容量的256M bit甚至512M bit颗粒，加上下游芯片组及相关主机板厂商所推出的系统平台大都已支持DDR架构，由此可见DDR颗粒已逐渐成为内存市场主流。因此，为了因应市场趋势及需求，创见此次推出的高容量1GB DDR266 Unbuffered DIMM及2GB DDR266 ECC Registered DIMM内存模块即是采用512M bit容量之颗粒所制成，将不同于一般256M bit颗粒制成的内存，可让使用者拥有最佳的价格效能比。」

除了拥有一般DDR模块2.5V低耗电量、数据传输频宽可达每秒2.1GB等优点之外，1GB及2GB分别由六层板PCB及八层板PCB制造而成，无论在布线路径、走线长度等设计规格都遵循严格的规范，因而能将噪声的干扰降至最低程度，可大幅提升系统运作时的执行效率及稳定性，使系统运作更加的顺畅。对于服务器、工作站等高阶市场需要高容量、高稳定性内存来搭配的特性之下，创见推出的1GB DDR266 Unbuffered DIMM及2GB DDR266 ECC Registered DIMM内存其高效能的表现，可以完全发挥高容量DDR内存的优势。加上创见一贯优质的售后服务及终身免费质保，将充分满足高阶工作平台使用者的需求。

采购信息

Module Capacity Part Number Dimension

DDR266 Unbuffer DIMM 1GB TS128MLD64V6J 133.35mmx31.75mmx1.27mm

DDR266 ECC Register DIMM 2GB TS256MDR72V6K 133.35mmx30.48mmx1.27mm