在制程推进到10nm以内后，研发难度也越来越大，这点从Intel的10nm从2016年跳票到2019年就可以看出。此前，得益于三星背后的支持，GlobalFoundries（格罗方德，格芯）的7nm走在前列，而且今年3月还邀请少数资深记者前往旗下最先进的纽约Malta的Fab 8工厂，介绍他们计划向7nm EUV推进。

然而，计划赶不上变化，GF今日宣布，出于经济因素考虑，搁置7nm LP项目，将资源回归到12nm/14nm FinFET以及12FDX/22FDX上。

当前，GF的12nm/14nm多用在AMD的锐龙处理器、Radeon GPU上，12FDX/22FDX则可以提供优质的性价，可用于集成模拟和射频组件的IC，如5G基带。

按照AnandTech的报道，GF的5nm和3nm研发也将终止，今年底前逐步停掉与IBM硅研发中心在这方面的合作。

虽然，关键客户AMD随后宣布，7nm产品将由台积电打造，且合作良好，但其实AMD和GF的确有基于7nm的研发计划，包括五年期的晶圆协议也有7nm的框架。

外媒分析，GF此次宣布后，和IBM以及AMD可能需要重新就晶圆协议进行谈判。

最后要说的是，GF退出后，四家明确使用7nm EUV技术的厂商便只剩下了三星、台积电和Intel。按技术规划，GF的7nm共有三代，第一代DUV，第二代部分引入EUV极紫外光刻，第三代密集使用EUV。

此前，世界第三大代工厂联电（UMC）也在本月宣布放弃对12nm以下制程节点的研发。