在数据大爆炸的时代，人们对SSD容量的需求越来越多，存储的容量面临着前所未有的挑战。继TLC固态硬盘成为主流之后，如今， QLC闪存也闪亮登场，满足了用户高密度容量的需求。

NAND闪存有SLC、MLC及TLC，现在又多了QLC

很多人都知道NAND闪存有SLC、MLC及TLC，现在又多了QLC闪存，那么它们之间到底有多少区别呢？

SLC=Single-Level Cell，每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低，成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。

MLC=Multi-Level Cell，它实际上是跟SLC对应的，SLC之外的NAND闪存都是MLC类型，而我们常说的MLC是指2bit MLC，每个cell单元存储2bit信息，电压有000,01,10,11四种变化，所以它比SLC需要更复杂的的电压控制，加压过程用时也变长，意味着写入性能降低了，同时可靠性也下降了，P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等，有的还更低。

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，111、110、101、011、010、001、000。

最大特点就是速度慢寿命短，约500-1000次擦写寿命，但价格是三者最低的。由于价格成本的原因，目前被广泛运用于消费级SSD中。

QLC = Quad-Level Cell，我们知道，TLC闪存是每个Cell单元存储3位电荷，有8种状态，QLC闪存则是存储4位电荷，有16种状态，容量增加了33%，但是写入性能、P/E寿命会再次减少。

从以上的介绍来看，QLC闪存在读写速度上，可靠性上相比其他三类闪存都有多下降，那么，为什么QLC还会受众多厂商青睐呢？

如今随着所要存储的数据越来越多，也越来越大，存储盘将会面临大数据前所未有的挑战，这时候就需要大容量产品来存储。所以，SSD需要更廉价的闪存解决方案，让大容量固态硬盘价格成本更低。

虽然目前寿命和性能是QLC闪存必然的缺点，但是随着固态硬盘工艺的提升和发展，让其缺点得到了很好的解决。比如，英特尔推出的QLC闪存直接使用3D NAND技术，P/E寿命达到了1000次，完全不输现在的3D TLC闪存。

大容量优势无法忽视，QLC是大势所趋

面对全球闪存供不应求，SSD价格高涨的情况，QLC闪存的出现，其更便宜的成本和更大容量的优势是厂商和消费者们无法忽视。总之，随着技术的不断发展和成熟，QLC被广泛认可也是早晚的事情。