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QLC成闪存新主流:或将终结SSD高价低容量时代
2018-07-23 09:59:33  出处:天极网  作者:shadow 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

在数据大爆炸的时代,人们对SSD容量的需求越来越多,存储的容量面临着前所未有的挑战。继TLC固态硬盘成为主流之后,如今, QLC闪存也闪亮登场,满足了用户高密度容量的需求。

NAND闪存有SLC、MLC及TLC,现在又多了QLC

很多人都知道NAND闪存有SLC、MLC及TLC,现在又多了QLC闪存,那么它们之间到底有多少区别呢?

QLC成闪存新主流:或将终结SSD高价低容量时代

SLC=Single-Level Cell,每个Cell单元存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速,反映出来的特点就是寿命长,性能强,P/E寿命在1万到10万次之间,但缺点就是容量低,成本高,毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。

MLC=Multi-Level Cell,它实际上是跟SLC对应的,SLC之外的NAND闪存都是MLC类型,而我们常说的MLC是指2bit MLC,每个cell单元存储2bit信息,电压有000,01,10,11四种变化,所以它比SLC需要更复杂的的电压控制,加压过程用时也变长,意味着写入性能降低了,同时可靠性也下降了,P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等,有的还更低。

TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,每个单元可以存放比MLC多1/2的数据,共八个充电值,111、110、101、011、010、001、000。

最大特点就是速度慢寿命短,约500-1000次擦写寿命,但价格是三者最低的。由于价格成本的原因,目前被广泛运用于消费级SSD中。

QLC = Quad-Level Cell,我们知道,TLC闪存是每个Cell单元存储3位电荷,有8种状态,QLC闪存则是存储4位电荷,有16种状态,容量增加了33%,但是写入性能、P/E寿命会再次减少。

从以上的介绍来看,QLC闪存在读写速度上,可靠性上相比其他三类闪存都有多下降,那么,为什么QLC还会受众多厂商青睐呢?

如今随着所要存储的数据越来越多,也越来越大,存储盘将会面临大数据前所未有的挑战,这时候就需要大容量产品来存储。所以,SSD需要更廉价的闪存解决方案,让大容量固态硬盘价格成本更低。

虽然目前寿命和性能是QLC闪存必然的缺点,但是随着固态硬盘工艺的提升和发展,让其缺点得到了很好的解决。比如,英特尔推出的QLC闪存直接使用3D NAND技术,P/E寿命达到了1000次,完全不输现在的3D TLC闪存。

大容量优势无法忽视,QLC是大势所趋

面对全球闪存供不应求,SSD价格高涨的情况,QLC闪存的出现,其更便宜的成本和更大容量的优势是厂商和消费者们无法忽视。总之,随着技术的不断发展和成熟,QLC被广泛认可也是早晚的事情。

QLC成闪存新主流:或将终结SSD高价低容量时代

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