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三星被判侵犯FinFET工艺专利:罚款4亿美元
2018-06-20 17:00:09  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

根据美国德克萨斯州联邦法院的裁决,三星电子侵犯了一家韩国大学关于双栅极FinFET半导体工艺的技术专利,必须赔偿4亿美元。

韩国科学技术院(KAIST)在美国的授权机构起诉三星电子,称其曾经宣称要与韩国大学共同研究FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,但很快就放弃,改变主意从Intel那里购买授权,不过三星还是使用了他们的技术,却并非付费。

法院认可了这一起诉,责令三星电子赔偿4亿美元。事实上,陪审团发现三星的侵权是故意行为,因此完全可以做出三倍处罚,也就是最多12亿美元。

有趣的是,GlobalFoundries和高通也被发现同样侵权,因为GF是从三星那里买了FinFET工艺的授权,高通则通过三星和GF代工芯片,但这两家无需赔偿。

三星对此判决自然表示很失望,将提出上诉。

目前,三星电子已经超越Intel,成为全球最大的半导体厂商。

三星被判侵犯FinFET工艺专利:罚款4亿美元

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