今天，浙江大学公众号发布消息称，浙大团队研制新型存储器，面积只有目前电路器件的几十分之一。

文中表示，浙江大学信息与电子工程学院和硅材料国家重点实验室，研发出了一种低成本、低功耗的新型存储器。课题组利用锗独特的表面性质，在锗表面生长忆阻器材料，形成一种新的器件，研究人员称之为“记忆二极管”。

官方称，这项基于可工业化生产的半导体集成电路制造工艺的工作，或将大幅提高数据交换速度，为降低网络芯片制造成本提供解决方案。

同时，这种新型存储器可为数据“打上”标签，为未来物联网社会增添更多想象。

项目负责人赵毅说：“我们团队研发的这个新器件，将原来需要一个电路才能做到的工艺，用一个器件就能实现其功能。使用面积缩小几十分之一。”

具体研究结果将在6月份的国际超大规模集成电路峰会（2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits）上发表，我们拭目以待。

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