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最近一段时间Intel承受了很多争议乃至非议，这个即将满五十周岁的老牌半导体公司似乎要输给三星、台积电这些后辈了。

要知道，台积电当初做代工也是得到了Intel悉心指导的，没想到现在被台积电、三星各种领先，特别是10nm工艺节点被这两家甩开。

普通人之所以有这样的认识，其实根源在于半导体知识太复杂。Intel在半导体制造领域依然具有极强的实力，他们的10nm工艺晶体管密度要比三星、台积电的7nm工艺还要好，就是难产了点。

在许多人的认知里，三星、台积电超越Intel很大程度上是都被XXnm的数字迷惑了，表面上看7nm比10nm先进，10nm比14nm先进，但背后代表的半导体技术太复杂，早就不是线宽所能代表的了。

三星、台积电在16/14nm FinFET节点上第一次超越Intel，尝到了营销上的甜头，所以后面的工艺命名有很多营销成分，比如16nm优化下就成了12nm工艺，14nm优化下成了12nm LP工艺，相比之下Intel只敢叫14nm、14nm+、14nm++等等，要老实很多。

当老实人的代价就是会吃亏，即便是在10nm节点，三星、台积电后面还会衍生出8nm之类的工艺，让人看的眼花撩乱，摸不清来龙去脉。

对于这个问题，Intel早前也表示过他们的无奈，也反击过这种衡量工艺的水平，推出了全新的公式：

在这个公式中，Intel认为衡量半导体工艺的重要指标是晶体管密度，上面具体算的过程大家就不要管了，反正是行业内认识才会关注的。

在这样的形势下，Intel对比其他家公司工艺时就有了优势了，去年的制造日会议上，Intel就对比过其他家公司的工艺情况：

14nm工艺的情况

先说14nm工艺，别看Intel直到现在都在缝缝补补14nm工艺，但是与其他家对比优势明显，晶体管密度是20nm工艺的134%，而其他两家只不过说104%、109%。

10nm节点工艺对比

10nm节点上，Intel表示他们的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2，就是每平方毫米1亿个晶体管，是14nm工艺的两倍多。

那么与其他家的对比呢？Semiwiki日前讨论到了三星的10nm、8nm以及7nm工艺情况，其中10nmm工艺的晶体管密度是55.10MTr/mm2，8mm是64.4MTr/mm2，7nm工艺也不过101.23MTr/mm2。

原文称，三星这个晶体管密度比之前计算的Intel 10nm工艺密度要低，比Globalfoundries、台积电的7nm工艺晶体管密度要略高一些。

换句话说，Intel的10nm工艺晶体管密度就相当于三星、台积电、GF的7nm工艺了，表面上看落后了一代甚至两代，但是Intel在技术指标上实际上要比他们领先。

所以这是不怪Intel郁闷，不是他们不努力，而是对手太狡猾，先声夺人在工艺命名上夺得优势了。

Intel无力回天，反正那些投资者、分析师们也不去关注这些技术细节，问的都是你们的10nm为什么难产呢？

为什么难产？Intel也解答不出来，大概是因为他们怀了一个哪吒吧，出生时间就要比别人多两年。