三星公司今天宣布已经开始批量生产80nm工艺的DDR2内存模组。三星称，从90nm向80nm的工艺改进可以将生产效率提升50％。

三星早在2003年9月就首次展示了80nm工艺DDR2的产品原型。三星原本计划在2004年的时候将80nm工艺用于DDR3，但由于DDR3发展的迟缓，三星最终将其用于DDR2。

虽然三星在2004年9月曾计划2005年下半年就投产80nm工艺DDR2，至今已经推迟了一段时间，但在竞争对手走到这一步之前，三星还有6-8个月左右的领先时间。

三星的80nm内存产品采用了被称为三维晶体管技术——凹道排列晶体管(RCAT)的3D构架技术，由此减小了晶体管体积，进而增加了更高内存密度下的集成度。

三星80nm 2Gb DDR2晶圆