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GlobalFoundries 7nm进展顺利:极紫外光刻良率已达65%
2017-10-25 23:03:09  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

AMD拆分出去的晶圆代工业务GlobalFoundries(GF)曾经长期各种不靠谱,新工艺要么跳票,要么良率和产能跟不上,多次迫使AMD更改产品规划。有这么个“女朋友”,AMD也是苦不堪言。

但是这两年随着自身实力的增强,以及外部合作的加深,GF是越来越靠谱了,14nm工艺就展现了不俗的实力,推动AMD Ryzen处理器、Vega显卡表现均相当出色。

AMD也是对GF信心爆棚,直接与其签订多年合作协议,联合跨过10nm,直接奔向7nm。

GF首席技术官Gary Patton近日在上海举行的一次技术会议上披露,GF EUV极紫外光刻技术的良品率已经提高到65%,公司将按计划推进EUV的商用和普及。

EUV极紫外光刻采用波长为10-14nm的极紫外光(软X射线)作为光源进行芯片光刻,是推动半导体工艺继续前进到10nm之下的关键技术,Intel、三星、台积电、GF多年来都在努力研发,只是技术难度实在太大,商用也是一再推迟。

GF也承认,EUV确实面临很多挑战,必须努力克服才能投入规模化量产,其目标是将良率提高到95%。

Patton确认,GF将在7nm上首次应用EUV技术,目前已经在与AMD合作攻关,但量产时间未披露。

AMD第二代Zen CPU架构、下一代Navi GPU架构,都将采用GF 7nm。

今年初,GF曾经推出了7LP(Leading-Performance) FinFET工艺,相比于14nm FinFET号称性能可提升超过40%,集成密度翻一番。

GF还在推进12LP FinFET工艺,也就是现有14nm的升级版本,将在2018年第一季度投产,AMD Ryzen第二代处理器就有望使用它。

GlobalFoundries 7nm进展顺利:极紫外光刻良率已达65%

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