台联电今天宣布已经研发出130nm工艺的压控振荡器(VCO)，其工作频率高达创纪录的192GHz，而且台联电认为在不远的将来即可达到THz级别。

据台联电称，该芯片是由佛罗里达大学电子与计算机工程部硅微波集成电路与系统研发小组(SIMICS)开发的。这一成果的实现得益于CMOS技术的运用。

台联电还表示已经将90nm工艺VCO的频率提升到了140GHz，并计划进一步提升到280GHz，而65nm工艺芯片有望达到350-400GHz，而台联电片上系统首席架构师Patrick T. Lin称，在那之后，“THz级别信号在CMOS技术中将成为现实”。

VCO通常用于RF/无线系统，而上百GHz的高频VCO可用于先进的远程探测和成像应用，如化学品探测、纤维穿越探测、云雾穿越成像、皮肤癌检测等。