除了与NEC联手研发的16MB容量、200MB/s带宽的MRAM，东芝今天还宣布了新开发的铁电随机存取存储器(FeRAM)芯片，容量提升至64MB，读写速度也提升至200MB/s，均达到了新的高度。

东芝的这些FeRAM芯片使用了130nm CMOS生产工艺，其技术基础是东芝自己的chainFeRAM架构，可显著减小存储单元的尺寸(0.7191平方微米)。由于为高速数据传输采用了爆发模式，芯片性能得以大幅提升，读取和写入速度(带宽)成功达到了200MB/s，循环时间也仅有60纳秒。

新的FeRAM芯片同时还使用了经过优化的电路设计和错误检查和纠正(ECC)机制，前者可有效减小电路面积和降低读取操作时的噪音，后者则可保证各种操作环境和高速读写操作下数据的稳定性。

FeRAM技术结合了DRAM、SRAM的快速操作特性和闪存的数据非易失性(即断电后仍可保存数据)，受到半导体业的广泛关注。东芝计划进一步研发FeRAM技术，将其用于高性能移动数字设备和电脑等多种场合。