东芝和NEC今天宣布，他们已经研发出一种新型磁性随机存储器(MRAM)，密度16MB，读写速度200MB/s，操作电压仅为1.8V。

MRAM技术在发展过程中面临的最大挑战一直是读取速度的提高问题。东芝和NEC研发的新MRAM使用了经过改进的电路设计，将读取和写入的电流路径分开，从而实现了200MB/s的读取速度新高，每一循环的时间也仅有34纳秒，同时写入过程中的等效电阻也降低了大约38％。

由于东芝和NEC这次在生产工艺上仅采用了130nm CMOS和240nm MRAM，因此每芯片16MB的密度并不算太高。

除了性能上的提升，新MRAM技术将存储单元尺寸减小到1.782平方微米，芯片面积也减小到78.7平方毫米，比没有采用新式电路设计的同类产品缩小了30％左右，这也是目前最小的16MB MRAM芯片。