意法半导体（ST Microelectronics）宣称其最新的4Gbit NAND闪存可以实现36MB/s的数据传输率，这比目前的最高纪录23MB/s还要快上50%。该公司是在和海力士半导体（Hynix Semi）联合举办的国际固态电路会议上宣布这一技术突破的。

这种新型NAND采用一种嵌入式错误修正处理器，每个内存页面最多可以修复5个错误。该处理器基于无线LAN中采用的博斯-乔赫里-霍克文黑姆（Bose-Chaudhuri-Hocquenghem）系统。

这种错误修正电路所占面积只有1.3平方毫米，不到NAND芯片总面积的1%，电力耗费也不到1mA。意法半导体有意向其他公司提供这种错误修正技术的授权。