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Intel和三星竞相研发混合式Flash硬盘
2005-12-14 08:51:00  出处:快科技 作者:P2MM 编辑:P2MM     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

NAND闪存巨头韩国三星电子和Intel日前都对媒体表示,目前现阶段用Flash闪存取代硬盘还不切实际,但是三星电子和Intel都在努力研发混合式闪存硬盘(Hybrid Hard Drive with Flash)。

三星电子的混合式闪存硬盘将在明年推出,Intel的混合式闪存硬盘技术可能转让给第三方硬盘厂商(比如西捷等等)。三星电子、Intel均表示,微软明年下半年上市的Windows Vista操作系统,将正式支持混合式闪存硬盘,因此NAND闪存将从诸如iPod等消费电子产品进入电脑产品领域。

三星电子NAND主管Don Barnetson表示,混合式闪存硬盘是将低容量(128MB)闪存直接集成到硬盘当中,结合闪存和硬盘的优势,混合式闪存硬盘的功耗将节省95%,使得笔记本电脑电池寿命延长30%,并且大大缩短Windows操作系统启动时间,只需要15秒就可以完成启动进入桌面。

三星电子准备在明年秋季和微软windows vista一同推出混合式闪存硬盘。

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