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东芝：32nm晶体管完成
INQ报道－－东芝芯片部门今天宣布，该公司刚刚完成了首个32nm级晶体管原型。
日本《Nikkei Business Daily》透露，东芝将在今天的美国国际电子设备大会上展示该技术的规格资料。
东芝完成的新晶体管采用FinFET架构，将门长缩小到仅有20nm。双栅FET(FinFET)晶体管较之单栅晶体管,能够加大晶体管电流,从而加快开关速度,即电路开关速度提高。
东芝认为自己即将在该级别晶体管生产中获得令人满意的产出，32nm级别芯片距我们又近了一步。
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