[G.SKILL芝奇内存]

以超频作为产品设计、生产理念为先的G.Skill（芝奇）是国内在台湾省台北市的一家专业制造内存模组的制造商。这家由一群计算机狂热玩家组合成立的公司其内存产品都是以超频为主，他们最近又推出了一款F1-3200DSU2-1GBFX超频内存。

F1-3200DSU2-1GBFX 单条容量512M，采用塑料透明包装，两条总容量1G。

G.SKILL在国内有些玩家还并不大了解，但是在欧美等地早已经是名声在外了。

采用双面散热片辅助散热，同时具有一定的电磁屏蔽的能力，有利于稳定运行在更高的频率下。

作为顶级的FX系列，内存参数更是达到了2-2-2-5的顶级水平。内存电压为2.7-2.8V。

F1-3200DSU2-1GBFX内存采用的是电气性能较好的6层PCB板基，充分保障内存在高频率下能稳定的运作，采用的内存颗粒就是备受超频玩家赞誉的TCCD颗粒。

同时芝奇还有多款内存，包括PC3200GH、PC3200ZX、PC4400FC、PC4400LE、PC4800FF、PC4800FR、PC4800LA等，可以满足不同用户的需求。现在在国内由百蓝BL等公司代理。具体详情可以访问

http://www.blonline.com.cn/

    [测试平台及说明]

我们知道现在能够在DDR400下达到2-2-2-5极限参数的内存屈指可数。一般包括Corsair，GEIL，OCZ等顶级内存，而现在这些内存一般都采用三星TCCD颗粒，这次测试的芝奇F1-3200DSU2-1GBFX内存同样也是使用的这种颗粒。采用TCCD颗粒的内存一般的特性为低延迟、高频率，同时也价格不菲。 测试中选用了ASUS A8N32-SLI主板，优秀的设计及做工使得这块主板可以为CPU和内存的发挥提供一个良好的平台。在超频测试中也将适当降低CPU的倍频，保证CPU频率不会成为系统的瓶颈。

内存参数调节：

　　内存的时序参数一般简写为2-2-2-5的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS的值。

CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。同时其他几个参数也是比较重要的，测试中就主要针对以上四个参数进行调节。同时还有不少其他辅助参数，有些主板通过BIOS或者在Windows下使用AMD64 Tweak工具进行调节，也会获得进一步的优化，只是提升幅度比较有限，测试中不再涉及。

    [基准测试]

G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX由于采用TCCD颗粒，因此具有低延迟高频率的特性。实际运行中并不需要极高的电压，这就对用户的主板及散热要求进一步降低。从内存的参数来看，推荐电压为2.7-2.8v。不过我们仍然尝试了是否可以在更低的电压下达成2-2-2-5。因此也调节到了2.6v——DDR400的一个标准电压下进行测试。测试SP2004 Stress RAM 30分钟没有反应出任何问题，我们认为，在大多数情况下，2.6v是仍然可以达成2-2-2-5的极限参数的，看来G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX的品质确实非常过硬。当然在应用中仍然和主板，电源等其他因素有关。下面所有测试中未经说明都采用了推荐值2.7V。

为更好的看出2-2-2-5极限参数在DDR400下的性能表现，我们加入了一对普通的2.5-3-3-6参数的内存进行对比。

相同的频率在内存带宽上的差异并不那么显著，但是更快的延迟仍有一定的体现。而在对内存参数比较敏感的测试项目中，2-2-2-5极限设置下的优势就体现出来，在Super Pi测试中提升有2.1%左右，DOOM3 中有3.6%左右，这些提升可能对一般用户影响不大，但是像超级的游戏玩家，或者超频爱好者，这些提高就显得非常重要了。

    [DDR500轻松达成]

首先我们冲击的是DDR500的频率，下面的测试中，为了排除CPU稳定性的影响，统一调节倍频到8，内存为同步设置，同时匹配不同的外频，即达到调节内存及系统的频率。

在BIOS设定中，我们调低参数到2.5-3-3-6，然后直接设定外频到250MHz。

DDR500频率可谓轻松达成，测试过程非常稳定，看来最终频率还远未达到。

DDR500频率，在2.5-3-3-5参数下完全可以达成。Bank Cycle Time可以调低到7，其他非主要参数还有进一步优化的余地。

    [降低时序OC DDR606]

随着外频的提升，内存带宽也得到了极大的增长，在极限频率DDR606下，SiSoftware Sandra2005中得分已经突破7000。

在2-2-2-5的参数设定下，频率最终稳定在216MHz，对于TCCD的颗粒比较正常。随着逐步放宽参数设定，频率也逐级提升。最终我们将频率推向了303MHz，也就是DDR606。由于TCCD低延迟的血统，我们尝试进一步降低延迟要求并没有起到效果，在3.0-4-4-8与3.0-5-5-10下，基本没有任何提升，甚至还有些许不稳定现象。当然，对于F1-3200DSU2-1GBFX能够达到DDR600这样的成绩，已经可以交一份满意的答卷了。

    [加压极限与总结]

我们知道DDR600这个频率应该已经非常接近极限了，并且TCCD内存除了具有低延时高频率的特点外，其对电压并不敏感。他不像BH5颗粒等颗粒，需要极高的电压才能保持良好的延迟和频率。但我们为了探其是否还有潜能，仍然进行一些加压的尝试。

内存推荐的电压范围是2.7-2.8v，按照这个标准增加到2.75v，在304的频率上没能得到突破，同时再加到2.8v，仍然无法上升到305，并且此时内存参数也没有什么优化的余地了。看来采用TCCD的G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX并不需要更高的电压。而这一点对于大多说用户还是比较有利，因为相对BH5颗粒，提升至4v以上的电压只有DFI的LanParty系列可以实现，或者采用OCZ的增压器，但随之而来就是散热问题。

所以这款G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX非常适合对内存延迟要求很高的用户，而对于更高的频率的需求，DDR600的水平也足以满足。其对电压要求较低的特性，也大大提高了使用的安全度，从测试过程中来看G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX的稳定性也非常可以信赖。总体来讲芝奇这款内存是可以符合高标准的全能型产品。

不过TCCD颗粒的内存唯一的缺点就是价格高昂，作为芝奇的顶级系列内存，价格也是个不小的门槛，当然其面对是最注重性能的用户。

产品详细规格 :

型号:F1-3200DSU2-1GBFX

包装 : 1024MB kit (2x512MB) 双通道包装

IC 颗粒 : Samsung TCCD

CAS 延迟时间 : 2-2-2-5 (PC3200)

电压 : 2.7~2.8 V

PCB 板 : 6 层 PCB

速度 : DDR 400MHz (PC200)

针脚 : 184-pin DDR SDRAM

错误侦测 : Non-ECC

Registered/Unbuffered : Unbuffered

保固期 : 终身保固

百蓝价格：1430.00