[加压极限与总结]

我们知道DDR600这个频率应该已经非常接近极限了，并且TCCD内存除了具有低延时高频率的特点外，其对电压并不敏感。他不像BH5颗粒等颗粒，需要极高的电压才能保持良好的延迟和频率。但我们为了探其是否还有潜能，仍然进行一些加压的尝试。

内存推荐的电压范围是2.7-2.8v，按照这个标准增加到2.75v，在304的频率上没能得到突破，同时再加到2.8v，仍然无法上升到305，并且此时内存参数也没有什么优化的余地了。看来采用TCCD的G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX并不需要更高的电压。而这一点对于大多说用户还是比较有利，因为相对BH5颗粒，提升至4v以上的电压只有DFI的LanParty系列可以实现，或者采用OCZ的增压器，但随之而来就是散热问题。

所以这款G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX非常适合对内存延迟要求很高的用户，而对于更高的频率的需求，DDR600的水平也足以满足。其对电压要求较低的特性，也大大提高了使用的安全度，从测试过程中来看G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX的稳定性也非常可以信赖。总体来讲芝奇这款内存是可以符合高标准的全能型产品。

不过TCCD颗粒的内存唯一的缺点就是价格高昂，作为芝奇的顶级系列内存，价格也是个不小的门槛，当然其面对是最注重性能的用户。

产品详细规格 :

型号:F1-3200DSU2-1GBFX

包装 : 1024MB kit (2x512MB) 双通道包装

IC 颗粒 : Samsung TCCD

CAS 延迟时间 : 2-2-2-5 (PC3200)

电压 : 2.7~2.8 V

PCB 板 : 6 层 PCB

速度 : DDR 400MHz (PC200)

针脚 : 184-pin DDR SDRAM

错误侦测 : Non-ECC

Registered/Unbuffered : Unbuffered

保固期 : 终身保固

百蓝价格：1430.00