IBM和AMD在近日的一次处理器会议上共同发布了两份文件，介绍了双方在65nm工艺处理器上共同降低功耗的计划。

IBM和AMD将为新工艺产品加入两种新技术，主要是关于芯片内硅层的应变，可以使工程师们设计性能更好的处理器，或在同等性能下降低大幅功耗。

两种新技术分别被称作embedded silicon germanium(硅锗嵌入)和stress memorization(强制记忆)，分别用于携带正电荷的P沟道晶体管和携带负电荷的N沟道晶体管。据称，采用新技术后的处理器比没有采用此种技术的相应处理器可降低大约40％的功耗。

目前的Opteron等处理器已经具备了DSL和SOL两种应变硅技术。此前AMD还和AmberWave公司合作，尝试引入应变硅技术，但生产难题扼杀了二者的联盟。AMD工艺开发部门副总裁Nick Kepler表示，新的硅锗技术所需的锗成分比以往少得多，生产起来也会更加容易。

Intel方面尽管没有SOI技术，不过也在芯片内加入了锗成分，还引入了与DSL类似的技术。至于双方的技术谁处于领先地位，尚无定论。

AMD的65nm工艺处理器计划在2006年下半年登场，而Intel和德州仪器今年年底就已经拿出65nm产品。