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三星投资6.14亿扩产闪存及DRAM芯片
2005-11-21 17:37:00  出处:快科技 作者:Mars 编辑:Mars     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

三星电子今天表示,将投资6.142亿增加新的产品线,推进闪存及DRAM芯片产能。

该投资是三星公司2005/2006预算内容之一,三星公司表示,预计新产品线的量产将会从06年下半年开始。并且,三星高层表示,06年下半年其核心存储芯片的价格将保持稳定,而且更低的NAND闪存芯片价格将大大的促进需求。

三星存储部门总裁表示,他希望目前一些热销的数字产品,如手机,数码相机,音乐播放器等,所采用的闪存芯片价格能够下降40%。

三星在计算机用存储芯片市场的主要竞争对手为现代、美光以及英飞凌,三星希望其芯片销售到2012能够有三倍的增长,从去年的170亿达到$610亿。在闪存芯片市场,三星的主要竞争对手为日本的东芝。

在个别市场方面,从目前的需求形势来看,三星希望在我国国内的市场销售额能有三倍的增长,到2010年达到$55亿美元,希望在未来5年的年度增长率达到11%。

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