三星一年一度的Galaxy系列旗舰机Note 7不久前发布，亮点不少。除了大内存、虹膜识别，Galaxy Note 7也是三星首次将Type-C接口应用到手机上，对于加快Type-C接口普及具有重大意义。

有点小遗憾的是，此次标配的充电器跟以往三星历代的旗舰机一样，依然是最大支持9V/1.67A输出规格，充电器型号为EP-TA200。

这款充电器无论外形还是性能跟已往的三星手机充电器十分接近，输出口依然是USB-A，不过输出口位置由侧面改为顶部，额定输出功率5V/2A、 9V/1.67A，联合功率15.03W，支持三星自家的AFC（Adaptive Fast Charging）快充，并且兼容高通的Quick Charge 2.0快充，制造商为惠州东洋益恩彼电子有限公司。

三星EP-TA200充电器采用白色ABS外壳，与此前的充电器几乎看不出差别。

数据线是采用的Type-C接口，意味着三星从MicroUSB向Type-C迈进了一大步。

仔细观察充电器两面的印刷参数，可以看到产品型号为EP-TA200，适用于全球宽网电压，两档输出分别为9V/1.67A和5V/2A，生产日期为2016年7月。正面还印有SAMSUNG品牌LOGO和Adaptive Fast Charging快充图标。

此次拆解的为国行版本，采用的是国标插脚，磁铁不吸，猜测为铜镍合金。

输出口同样不吸磁。

与旧版相比，输出口改到了顶部，依旧采用USB-A口。

电源净重约44g，很轻巧。下面进入拆解环节。

拆开顶部，由于采用很结实的超声波黏合，很难做到无损拆解。

盖子里面有EP-TA200型号，内部电路板使用卡槽固定。

顺着卡槽直接抽出PCB板，乍一看PCB上元件密密麻麻。

电源布局十分紧凑。

PCB顶部元件一览，这一面可以看到热敏电阻，保险丝，开关管和变压器。

PCB背面放大，主要芯片集中在这面，稍后分析。

充电器上使用了三颗电容，其中一颗为固态，另外两颗为液态。品牌来自Capxon台湾丰宾。

PCB从不同角度观察。

插脚是固定的，PCB板顺着卡槽推进去刚好卡住。具体电子元件分析如下：

AON6266 介于AD/DC转换器之间的同步整流MOS，品牌为美国AOS。

二极管，焊接工艺不错，焊点饱满。

上方是817光耦，负责识别芯片与初级PWM芯片的通讯；右下角Dialog iW1780 PWM控制器，用来输出不同的电压 。

整流桥丝印编号为RABF1510，规格为1.5A、1KV耐压。

UTC是台湾友顺高压MOS，规格为7NM70G。

USB底座有隔离板，起高低压隔离作用。

右下角是Dialog iW627识别IC，查阅官方Datasheet技术文档，可见该芯片支持三星AFC和高通QC2.0双快充协议。通过拆解发现，三星EP-TA200充电器内部采用了Dialog旗下iW1780、iW627、iW673全套电源方案。

下面将测试充电器的输出能力。

用充电头网定制USB电压电流表测得空载时的电压为5.05V。

用充电头网自制QC2.0/3.0诱骗器测试，最高可到9V，不能激活QC3.0的12V电压档。

为三星Note5充电，9.12V /1.62A满速快充。

为钢铁侠T800充电，开启QC2.0快充，电压电流显示为9.15V/1.77A。

充小米高配版，电压电流分别为9.11V/1.63A。

充Anker两万毫安时大容量移动电源，电压电流分别为5.07V/2.29A。需说明的是这款是USB-C输入，但移动电源本身只支持5V输入。

充iPhone 6s Plus，电压5.13V，电流0.96A，勉强到1A。

给iPad mini 2充电 ，电压5.13V，电流0.96A。

测试结果汇总如下：

用EBD-USB测试负载功率。

5V档最高输出为5.4V/2.3A，即12.4W。

9V档最高输出为9.16V/1.90A，即17.4W。

测试总结：

通过拆解可以看出三星Galaxy Note 7标配的这款充电器整套采用iWatt的方案，集成度高，体积小巧。整体做工用料都不错，功率超出额定标示值。

同时支持AFC和QC2.0双快充协议，但不支持QC3.0输出。

依然不支持苹果全速充电，当然这个是安卓手机配的，可以理解。

由于三星Galaxy Note 7采用了全新的Type-C接口，并且实测支持USB PD协议，这款充电头并不能很好地发挥Type-C接口的优势，对于用户体验上来说有一定的打折。