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内存疯狂:DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3都来了!
2016-08-23 22:42:50  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

Hot Chip 2016大会上,内存技术突然成了一大热点,DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代标准相继浮出水面,明后两年陆续就能见到。

这份发展规划主要来自存储大厂三星,美光也提出了一些想法,而新规范自然主要以提高速度、扩大容量、降低功耗为主。

内存疯狂:DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3都来了!

DDR5内存的设想是单条容量最小8GB、最大32GB,带宽最高6.4Gbps,两倍于DDR4,而电压和当前的DDR4一样维持在1.1V,这在历史上倒是第一次。

美光计划2019年量产DDR5,三星则计划2018年就行动。

GDDR6显存数据率将冲击14Gbps,高于现在的GDDR5X 12Gbps、GDDR5 10Gbps,电压则是1.35V。

LPDDR5内存之前其实还准备了个过渡性质的LPDDR4X,三星、海力士都有相关规划,速度从LPDDR4 3733Mbps提高到4266Mbps,VDDQ 0.6V、VDD 1.1V的电压则维持不变。

联发科Helio P20处理器已经第一个支持LPDDR4X,但这么一款中端芯片搭配最强内存有些不伦不类,而且事实上这颗处理器还没发布呢。

LPDDR5的目标是做到6400Mbps的超高带宽,VDDQ/VDD电压要比现在的0.6/1.1V更低,功耗有望降低最多20%,对未来的高端手机是一大福音。

HBM2刚刚开始量产,HBM3自然还得很久,预计2019-2020年才会推出。三星和海力士都已经投入研发,计划将单颗容量做到最大64GB,带宽则可达2TB/s。

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