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SSD狂拼容量:三星冲击32TB
2016-08-11 22:50:37  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

机械硬盘还没普及10TB,固态硬盘已经向着更高的层次高速进军了。三星创造了15.3TB的记录并将其推向市场,希捷就展示了60TB的恐怖容量,而作为固态存储行业的领军者,三星自然不甘示弱。

年度闪存峰会上,三星就集中展示了一系列新的闪存技术,其中就包括容量达32TB的新硬盘。

首先是第四代3D V-NAND立体堆叠闪存,从第三代的48层增至64层,单晶粒最大容量512Gb(64GB),TLC类型,IO接口传输速度也提高到了800Mbps。

SSD狂拼容量:三星冲击32TB

基于此新技术,三星可以在单颗芯片封装内,做到1TB容量,甚至是13×11.5毫米的单芯片BGA SSD都能做到1TB。

SSD狂拼容量:三星冲击32TB

同样基于此,16TB PM1633a进化为了32TB PM1643,号称世上最大容量硬盘,但严格来说是最大的2.5寸,希捷那个60TB是3.5寸的。

SSD狂拼容量:三星冲击32TB

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下一代企业级的NVMe SSD PM1735,将会使用PCI-E 4.0 x8总线,带宽达12GB/s,不过谁也不知道PCI-E 4.0标准何时出炉呢。

SSD狂拼容量:三星冲击32TB

然后,三星创造了一种114毫米长、32毫米宽的超大号M.2 SSD(一般企业级110×22毫米、消费级80×22毫米),容量可达8TB,能在1U机架空间内实现256TB。

标准型的M.2则可以做到4TB。

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还有,三星宣布了新的“Z-NAND”闪存技术、新的主控、新的“Z-SSD”硬盘,介于传统SSD和内存之间,性能高于传统NVMe、PRAM SSD,延迟则类似后者,能效也更高。

从新闻稿看,Z-NAND并不是Intel、美光搞的那种混合式3D XPoint,因为其基本结构和V-NAND是相通的,只不过加入了特殊电路和主控设计,实现性能最大化。

三星将在今年推出1TB Z-SSD,明年增加2/4TB。

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