之前我们已经报道ATi正在研发R580图形芯片的消息。现在根据泄漏出来的消息表示，R580图形芯片在工艺上采用13层金属互连,ILD,采用改进的Low-k工艺和间隙化合物过度层，以进一步提升工作频率。有传闻表示，由于TSMC和IBM之间有技术交换协议，而TSMC又是R580的代工厂商，因此IBM在G70当中用到的部分技术，也将出现在R580当中。

传闻指出，R580和RV530一样，采用像素渲染管线和纹理单元分离式设计。传统架构设计模式下，单条像素渲染管线涵盖所有渲染过程，R580设计和这种传统设计不同。ATi从R300图形芯片开始，每条像素渲染管线都搭配2个ALU，1个全工，1个半工。nVIDIA的G70每条像素渲染管线搭配2个全工ALU，因此和G70类似，R580图形芯片将有48条像素渲染管线，总计96个ALU，16个纹理单元。另外，传闻表示，ATi规划中的RV560将有24条像素渲染管线，8个纹理单元。目前RV530有12条像素渲染管线，4个纹理单元。

传闻表示，R580不大可能在近期推出，而是会在明年春季Cebit2006大会前后发布。当然R580最终规格和发布日期还是要由ATi官方来告诉我们。