【随机读写性能：痛扁三星】

虽然有NVMe，但是随机读取并没有太好的表现，再次不如三星。

NVMe理论上可以改善低深度的性能，因为它的系统开销更少，但这里NAND闪存成了瓶颈，或许未来换成3D闪存会好一些。

很有趣，Intel、三星在QD16及之前几乎没啥不同，QD32 Intel才爆发，突破了200000 IOPS，而且NVMe还可以支持更高的队列深度，只不过消费级负载根本用不到罢了。

随机写入完爆三星，超越足足60％，低延迟的NVMe应该功不可没。

可以看出Intel的队列深度扩展效率很高，一直到QD8才停下来，三星则只到QD2，而且看看QD1/2时的差距有多大，这说明在随机写入频繁的应用中，SSD 750绝对会是个怪物。