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Galaxy S6/S6 Edge给iPhone 6s带来灵感
2015-03-05 10:52:21  出处:威锋网   编辑:快科技     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

3月5日,三星在今年世界移动通信大会(MWC)展会的第一天就发布了最新款的三星Galaxy?S6和S6?Edge。在发布会中,三星不仅拿“弯曲门”把iPhone?6?Plus嘲讽了一番,同时还大肆抨击了后者摄像头的夜间拍摄能力。
三星自信满满的表示,Galaxy?S6和S6?Edge是当今最出色的智能手机。但讽刺的是,虽然此番三星的Galaxy?S6和S6?Edge都经历了大幅重新设计,且大胆采用了许多前所未有的设计理念,不过该公司似乎依旧在这两款产品的设计中借鉴了iPhone的设计灵感。
就外观而言,三星Galaxy?S6、S6?Edge同iPhone?6的外观十分类似,不过三星还是通过自己出色的硬件设计工艺而证明了自己在移动设备领域的巨大影响力。
三星表示,Galaxy?S6、S6?Edge机身厚度只有6.8mm,整机重量为138g,比Galaxy?S5更轻薄。同时它们都配备了5.1寸2K分辨率的Super?AMOLED屏,搭载14nm工艺制程的三星64位Exynos?7八核处理器和3GB内存(DDR4)。由于机身采用了一体化式设计,所以它们的电池都不可拆卸(支持无线充电功能,同时兼容WPC和PMA两大标准),并且也不提供扩展存储空间。
外界分析认为,此番三星在Galaxy?S6、S6?Edge中采用的部分硬件设计标准同样有可能出现在下一代iPhone身上。目前,三星仍然是苹果最主要的供应商之一,而后者则一直希望能够持续改善自己设备的性能表现。
首先,此次Galaxy?S6抛弃了高通芯片而采用了三星自家14nm工艺的Exynos?7420处理器,而该款处理器则采用了FinFET封装技术。此前曾有消息称,三星将为苹果iPhone和iPad产线供应同样的14nm工艺芯片,但这一芯片的设计工作将依旧由苹果负责,而三星仅仅负责代工。
第二,Galaxy?S6采用的是下一代LPDDR4?RAM内存,这一版本将比此前一代产品提供两倍的性能。虽然我们并不认为苹果会效仿三星在下一代iPhone中采用3GB内存,但我们认为该公司还是有可能为iPad、iPhone配置下一LPDDR4?RAM的规格内存。
第三,在本届MWC开幕前,三星宣布开始量产业界首款采用通用闪存标准UFS?2.0版的128GB超高速嵌入式内存以满足新一代旗舰版智能手机的市场需求。UFS内存采用“命令队列(Command?Queue)”技术,该技术常用于固态硬盘(SSD)中,通过串行接口加快命令执行速度。因此与采用8位并行接口的eMMC标准相比,UFS的数据处理速度得到了大幅提高。所以在三星将这一技术应用于Galaxy?S6后,我们预计苹果的下一代产品也将有望采用这一最新技术。
有媒体相信,苹果迟早会为iPhone加入无线充电以及类似于S6?Edge一样的曲面屏幕,但这只有在苹果认为该技术已经完全成熟的情况下才会成为现实。
与此同时,摄像头也是Galaxy?S6提升的一大重点,不过像素并非外界之前曝光的2000万像素,而是1600万像素,光圈为F/1.9,前置摄像头为500万像素(光圈为f/1.9,像素尺寸增加了43%)。作为三星的最大竞争对手,苹果显然不会就此束手就擒,并肯定会在下一代产品中为其配置更好的摄像头组件。
平心而论,就处理器、内存和存储这三方面而言,三星在Galaxy?S6中所应用的尖端技术极有可能为苹果在iPhone?6s中的设计提供灵感。因为苹果几乎无时无刻不在强调iPhone和iPad的出色性能,而要实现这一目标就需要该公司大胆启用新硬件,同时对软件进行优化。

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