目前业界正在研制一种新型的存储芯片，就是被命名为ReRAM的电阻式内存，这种存储芯片既拥有DRAM水平的读写速度，又可以像NAND闪存那样在断电后也能保存数据，可以说是整合了两者的优点于一身。现在ReRAM芯片的研制已经初见成效，日前索尼和Micron就联手公布了他们的最新研究成果，称他们试制的产品在性能上已经非常接近理论数据。

索尼和Micron联手公布的是一款容量为16Gb（2GB）的ReRAM芯片，据称这款芯片基于27nm CMOS工艺打造，可以用于替换现有的DDR SDRAM芯片，可用于移动设备或者是PC上。按照公布的信息称，这颗芯片的实际性能是读取900MB/s，写入180MB/s，和它读取1000MB/s、写入200MB/s的理论性能已经非常接近，进入量产、商品化的可能性很高。

另外根据两者公布的成品来看，这款ReRAM芯片应该是索尼早前研究成果的延续，毕竟索尼早在2011年就公布了小容量型的样品，而Micron早前的研发精力则放在相变存储芯片PRAM，现在的ReRAM产品应该是“索尼研制”和“Micron制造”的共同成果。