三星在本周发布了850 EVO系列SSD，作为840 Evo的后继者，它依然使用TLC闪存，但是这TLC闪存是使用3D V-NAND技术制作的，单颗闪存密度非常高，产品的质保从3年增加到5年，可见可靠性与寿命也比上代有所提升，现在这款SSD已经到了我们手上，今天先放上开箱与简单的测试，详细的评测请慢慢等待。

三星850 EVO采用白色的包装，上面的“3D V-NAND”非常显眼

包装内的所有东西：SSD硬盘、软件光盘、两本说明书

850 EVO的外壳变成纯黑了

SSD背面照片

由于3D V-NAND闪存的密度大，用两颗闪存就凑够了256GB的容量，PCB面积非常小，此外850EVO除了1TB的用的是旧的MEX主控外，其他的都是用全新的MGX主控，三星表示新主控优化了SSD的性能，特别是低容量下的随机性能。

850 EVO 120GB与250GB都是用这块PCB，250GB的有两颗闪存，而120GB的只有一颗闪存，更大容量的版本会使用更大的PCB。

我们现在先用CrytalDiskMark对它进行简单的测试，连续读写速度分别为536/516MB/s，4K QD1随机读取速度是45MB/s，4K随机写入速度是130MB/s，当然由于用的是1GB的数据包，这个测试基本上都在TurboWrite缓存区内完成，敬请期待后面的详细测试。