高性能、高密度产品和广泛封装选择是嵌入式应用的理想之选

英特尔信息技术峰会，2005年4月11日，北京讯――在今天于东京召开的英特尔信息技术峰会上，英特尔公司推出了全新英特尔StrataFlash® 嵌入式存储器。它是低成本、高性能NOR闪存产品家族的新成员，主要面向家电、工业和有线通信等市场领域的嵌入式应用。

英特尔的第四代多级单元产品主要面向嵌入式市场的原始设备制造商（OEM），该市场对于闪存的性能和密度要求日益提高。这一出色性能是各种平台设计的出色选择，包括数码相机、家电、网络路由器、以及交换机和手持设备等。

英特尔公司副总裁兼英特尔闪存产品事业部总经理Darin Billerbeck表示：“英特尔已经验证的第四代多级单元技术可为我们的嵌入式产品客户提供出色的性价比优势。英特尔StrataFlash® 嵌入式存储器是我们的每位成本（cost-per-bit）最低的解决方案，可为嵌入式应用开发商提供一个全面的特性集，其中包括高性能、更多安全选件、以及支持电池供电的低压特性等。”

NOR（Not-Or）闪存最早由英特尔于1988年开发，是一种可重写存储器芯片，能够在断电情况下继续保留存储内容，因而是嵌入式应用、蜂窝设备及其它移动设备的理想之选。英特尔的第四代多级单元技术可在每个存储器单元中提供2位的信息，支持更小的硅核尺寸和更高的密度。

嵌入式应用的明智之选

全新英特尔StrataFlash® 嵌入式存储器产品家族将提供从64 MB到1 GB的广泛密度，从而可为开发商提供一条轻松的升级路径，同时还可避免重新设计工作，并能够最大限度地降低成本。

Xilinx公司全球市场推广副总裁Sandeep Vij表示：“我们已将英特尔StrataFlash® 存储器成功设计到我们全新的下一代Spartan3E™ 参考设计启动套件中。目前，凭借其全新嵌入式存储器产品家族的增强性能和特性，英特尔的这一解决方案将为我们带来更高的价值。”

凭借此全新产品家族，嵌入式系统设计人员可根据各自的外形需求，从三种封装选项中任选其一，它们均提供有含铅和无铅两种。此外，开发人员还将受益于对更出色应用性能的快速访问――85纳秒的初始访问速度，随后为20纳秒的总线速度，以及支持最高安全性的多层保护选件和支持耐久的电池使用时间的低压特性等。

产品上市日期

密度为64 Mb – 512 Mb的英特尔StrataFlash® 嵌入式存储器将于2005年第二季度推出，并可与免版税英特尔闪存软件结合使用，以改进数据和文件管理。密度为1 Gb的设备将于2005年下半年推出。如欲了解有关英特尔闪存产品的更多信息，请访问www.intel.com/go.choosesmart。

英特尔是全球最大的芯片制造商，同时也是计算机、网络和通信产品的领先厂商。如欲了解有关英特尔的更多信息，请访问：www.intel.com/pressroom。

英特尔和英特尔StrataFlash 是英特尔公司及其在美国和其他国家（地区）的子公司之商标或注册商标。

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