台湾DRAM厂近来表现可说是愈来愈为亮丽，整体产出直逼国际DRAM大厂，台湾泛南亚科（南亚科＋华亚半导体）2005年总产能进入第二季（Q2）起将直线上升，月产出量可望一举上看至7,000万颗左右，而这样的产能可说已直逼全球第二大DRAM厂海力士（Hynix），对这样的现象，市场分析师认为，因南亚科产出量愈多对其来说只会替其分摊更多研发费用，却不需额外支付更多权利金。

　DRAM厂表示，4～5年前DRAM产业如要与国际DRAM厂相较，简直是“小巫见大巫”，因当时台湾DRAM厂产能全数加总起来，可能还不及全球排名前3大中之任一家，多数DRAM产业分析师绝不会将台湾DRAM厂的看法列入参考，毕竟这样少的产能对整体DRAM产业价格影响有限。

　不过，这样的状态随台湾DRAM厂旗下12寸厂建立速度有如雨后春笋般开出，使得台湾DRAM厂于全球DRAM产业中逐渐崭露头角，且市场占有率更节节攀升，2004年力晶可算是最佳例证，因其产出量源源不绝开出，使其成本更是一路下滑，进而使其2004年创造出“EPS之王”美号，如今泛南亚科经过近1～2年努力，目前整体产能与2004年的力晶如出一辙。

　也就是产能以迅雷不及掩耳的速度拉高，到3月为止，光是来南亚科本身产能便已达到2,000多万颗以上，至于华亚半导体也以4,000多万颗粒产出量让人跌破眼镜，光是3月泛南亚科总产出量已达6,000多万颗，若以当时承诺到上半年前，华亚半导体每月产出量会增加20％左右来算，到了4月要两家晶圆厂总产能要逼近7,000万颗，可说是易如反掌。

　依照这产出量来看，泛南亚科到了2005年Q2产能已可与国际DRAM大厂一较高低，据了解，目前海力士每月产能已达到将近9,000万颗左右，接下来华亚半导体到了2005年底前一举扩增至5.4万片后，其泛南亚科集团的产出量有机会超越海力士，虽说海力士当前旗下12寸厂产能也不断开出，但其余8寸厂产能却渐转移至量产利润更高的NAND型Flash晶片组，相较于只专注增产DRAM颗粒泛南亚科而言，要超过海力士可说是轻而易举。

　况且因南亚科本身不需支付权利金与国际DRAM大厂，因此产出量增加对其而言是有利无害，毕竟，增加产能对南亚科来说更会替其分摊研发费，而无须担心支付更多权利金。